MT?A300BF,BF=Bright?Field 明场 + DF=Dark?Field 暗场,电动 Z 轴金相工具上海丈量显微镜,面向半导体晶圆 Dicing 划片切割工序质量检测,用于硅片、碳化硅、陶瓷基板、封装芯片切割路表观、崩边、缺口、微裂纹、切割残渣的尝试室抽检与工艺验证,参考 SEMI 半导体有关检测规范
。 定位:尝试室分析量测设备,不是产线全自动 AOI,用于首件确认、造程巡检、失效分析复核
。

半导体切割(Dicing)重要检测项目

晶圆刀片切割 / 激光切割之后,检测切割路(Street)、芯片边缘质量:

1. 崩边 Chipping 丈量芯片正面崩边、背面崩边尺寸丈量,更大崩边宽度统计,评估切割刀片参数、切割转速进给是否合理;崩边超标会造成芯片后期开裂失效
   。

2. 切割边缘缺点观察切割路碎屑、硅渣、切割划痕、边角缺口、微裂纹、崩角;分辨正常切割纹理与真事珐展裂纹
   。

3. 切割路尺寸丈量切割路现实宽度、芯片现实尺寸、切割偏移量
   。

4. 切割后截面切片分析(金相造样)镶嵌?研磨?抛光后观察亚表表危险、次表表裂纹;评估切割对硅基体内部造成的危险深度
   。

5. 分歧资料适配:硅晶圆、SiC 碳化硅、陶瓷基板、玻璃晶圆、封装芯片划片质量判定
   。

实操重点:暗场 DF 对微幼崩口、微裂纹、碎屑颗粒成像对比度远优于明场 BF;明场用于尺寸丈量、大面积切割路观察;必要做轻微台阶描摹分辨可增配 DIC 微分过问？
。

MT?A300BF 主题硬件配置

1. 光学系统:无限远半复消色差,BF 明场 + DF 暗场反射柯勒照明

• 物镜:5X/10X/20X/50X 长工作距明暗场 BD 半复消色差物镜;适配晶圆深腔、芯片边缘观察;

• 明场用于尺寸丈量,暗场强化微幼崩边、微裂纹、颗粒残渣散射成像;

• 三眼光路 50:50 分光,搭载 4K 科研 CMOS 相机
  。

1. 载物台与电动 Z 轴

• X?Y 行程:200×150mm,可直接搁置 6 英寸及以内整片晶圆,无需裁切幼样;

• 电动 Z 轴,行程 120mm,FA 辅助对焦;支持高度差丈量;沉型大理石底座抗震荡,保险微米级观测不变性
  。

1. OMT?MMS 显微丈量软件

• 二维丈量:崩边更大宽度、切割路宽度、偏移量、距离;

• 图像拼接,整片切割路全景扫描成像;

• 缺点象征、数据统计、图片存档,一键输出 PDF/Word 尺度化检测汇报;满足尝试室质量系统追忆
  。

1. ？榛┐:可后期升级 DIC 微分过问、偏光？,适配 SiC 第三代半导体晶体缺点观察
   。

MT?A300BF 技术规格

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产品主题优势

? BF+DF 明暗场组合:暗场下微幼崩边、微裂纹、硅渣颗粒出现高亮衬度,解决镜面硅片明场下微幼缺点不容易识此外痛点
。 ? 大行程工作台可直接搁置整片晶圆,削减样品裁切带来二次危险
。 ? 电动 Z 轴 + FA 辅助对焦,频仍切换视场时急剧对焦,提升检测效能
。 ? OMT?MMS 软件实现崩边宽度批量丈量统计,输出合规检测汇报
。 ? ？榛缮:后续可增长 DIC、偏光,适配第三代半导体检测需要
。

??能力天堑

1. 属于尝试室抽检设备,不成代替产线全自动 AOI,无法百万颗芯片高速全检
   。

2. 表表光学只能观察芯片表表崩边;硅基体次表表埋藏裂纹,必要金相切片剖开做截面复核
   。

3. 纳米级次表表危险,必要 SEM 电镜进一步分析
   。

同系列型号选型分辨

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